Прогресс ожидает нас, порой, в неожиданных областях. В то время как пользователи ожидают инновации в области создания микропроцессоров на базе кристаллов кремния, учёные разрабатывают совершенно новые решения, как, например, транзисторы, использующие нанотрубки из индий галлия арсенида (InGaAs).
Исследователи университетов Гарварда и Пердью утверждают, что новые транзисторы смогут когда-нибудь заменить кремний, благодаря своему высокому потоку электронов. Материалы такого типа, которые, в свою очередь, состоят из материалов III-V, то есть входящих в третью и пятую группу элементов периодической системы Менделеева, и обеспечивающих более эффективный поток электронов, в будущем позволят создавать более тонкие и лёгкие компьютерные устройства.
Профессор кафедры электронной и компьютерной инженерии в Пердью, г-н Пейде Йе (Peide Ye), отметил, что снижение размера затвора транзистора до 22 нанометров заставляет использовать более сложные структурные конфигурации при создании трёхмерных транзисторов, так как идеальный затвор похож на горлышко, причём такие затворы должны окружать транзистор со всех сторон. При работе с кремниевыми транзисторами использование такой структуры ещё возможно, но дальнейшее уменьшение, похоже, в конце концов, потребует переход к новым материалам. Нанотрубки, созданные из сплавов III-V позволят перейти к 10 нм техпроцессу.